|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებლები
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj( °C )
|
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
IT(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება |
TC=70 。C
|
125
|
|
|
350 |
Ა |
IT ((RMS) F |
RMS დენი (სიუს ტალღა) |
Სინუსური ტალღა 50 ჰერცტი
Ორმხრივი გაგრილება
|
|
|
770 |
Ა |
VDRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
tp=10ms |
125 |
5600 |
|
6500 |
V |
IDRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე |
125 |
|
|
200 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM |
125
|
|
|
4.5 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
101 |
103A2s |
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
125
|
|
|
1.25 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
2.20 |
mΩ |
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM=1000A, F=24kN |
25 |
|
|
3.50 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
200 |
V/µs |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM= 67% VDRM
Გეითის პულსი tr ≤0.5μs IGM=1.5A განმეორებითი
|
125 |
|
|
100 |
A/µs |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA=12V, IA=1A
|
25
|
40 |
|
350 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
3.5 |
V |
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
20 |
|
400 |
mA |
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
|
|
|
|
500 |
mA |
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 24kN |
|
|
|
0.045 |
。C /W
|
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე |
|
|
|
0.008 |
FM |
Მონტაჟის ძალა |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
140 |
。C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
440 |
|
g |
Კონტური |
KS50dT |
EN
